檢測知識(shi)
當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 防(fang)滲膜完整性檢測/檢測知識(shi)/ 正(zheng)文(wen)電(dian)阻率(lv)法測防(fang)滲層
電(dian)阻率(lv)法測防(fang)滲層
電(dian)阻率(lv)法測防(fang)滲層是要(yao)求
采(cai)用(yong)高密度電(dian)阻率(lv)法進(jin)行填(tian)埋(mai)場(chang)滲漏(lou)破(po)損(sun)探(tan)測前(qian)的(de)準(zhun)備(bei)工(gong)作(zuo)應符合下(xia)列規定:
1、探(tan)測區(qu)域應事先(xian)平整,地(di)面(mian)起伏(fu)不(bu)應過大;
2、應(ying)根(gen)據(ju)填埋(mai)場(chang)的(de)滲漏(lou)點(dian)設(she)計(ji)多條測線,粗(cu)測時(shi)可延(yan)長測線和電(dian)極距;
3、應根(gen)據(ju)防(fang)滲層深(shen)度設(she)計(ji)探(tan)測線的(de)長度。
4、高密度電(dian)阻率(lv)設(she)備(bei)系統(tong)電(dian)極布設(she)應(ying)符合下(xia)列規定:
5、電(dian)極應等間距布置(zhi);
6、電(dian)極距不宜(yi)大於 10m,且不(bu)應(ying)大於(yu)電(dian)纜上(shang)的(de)電(dian)極間距長度。
7、應(ying)按(an)照(zhao)儀器使(shi)用(yong)說(shuo)明(ming)正確連(lian)接(jie)探(tan)測設(she)備(bei)系統(tong)。
8、采(cai)用(yong)高密度電(dian)阻率(lv)法進(jin)行填(tian)埋(mai)場(chang)滲漏(lou)汙(wu)染(ran)範圍(wei)確定,測控(kong)主(zhu)機的(de)操作(zuo)應按(an)下(xia)列步驟進(jin)行:
(1)選擇系統(tong)工(gong)作(zuo)方(fang)式(shi),確定系統(tong)工(gong)作(zuo)模(mo)式(shi)後不(bu)應隨(sui)意更改;
(2)進(jin)行儀器硬(ying)件檢測、電(dian)極接(jie)地電(dian)阻檢測、電(dian)池電(dian)壓檢測,確保(bao)儀器檢測正(zheng)常(chang)後(hou)方(fang)可進(jin)行探(tan)測;
(3)設(she)置(zhi)工作(zuo)參(can)數,工(gong)作(zuo)參(can)數應(ying)包(bao)括(kuo):斷面(mian)號(hao)、裝(zhuang)置(zhi)、滾動數、電(dian)極數、極距、剖面(mian)數。
(4)采(cai)用(yong)高密度電(dian)阻率(lv)法進(jin)行填(tian)埋(mai)場(chang)滲漏(lou)汙(wu)染(ran)範圍(wei)確定,測控(kong)主(zhu)機的(de)操作(zuo)應符合下(xia)列規定:
(5)當(dang)儀器顯(xian)示(shi)過流保(bao)護,應(ying)關掉(diao)電(dian)源,檢查(zha)線路;
(6)每測量(liang)完壹個(ge)斷面應(ying)檢查(zha)壹次電(dian)池電(dian)壓;
(7)對(dui)於新的(de)工(gong)作(zuo)斷面(mian),在測量(liang)前(qian),應設(she)置(zhi)正確的(de)工(gong)作(zuo)參(can)數;
9、儀器執行(xing)某壹功能(neng)未結(jie)束時(shi),不應關機(ji);
10、儀器面(mian)板(ban)應避免(mian)陽光直(zhi)射(she)。
11、應根(gen)據(ju)工作(zuo)區的(de)地(di)形地質(zhi)條件、勘(kan)探(tan)目的(de)、勘(kan)探(tan)深(shen)度和勘(kan)探(tan)精(jing)度等(deng)因(yin)素來(lai)選擇合適(shi)的(de)裝(zhuang)置(zhi)。宜選取(qu)兩(liang)種或(huo)兩(liang)種以(yi)上(shang)的(de)排(pai)極裝(zhuang)置(zhi)進(jin)行汙(wu)染(ran)範圍(wei)確定。
12、探(tan)測結(jie)束(shu)後應(ying)對數據(ju)進(jin)行格(ge)式(shi)轉化(hua)、突變(bian)點(dian)剔除、濾(lv)波、編輯(ji)繪圖和反(fan)演處理,高密度電(dian)阻率(lv)測量(liang)數(shu)據(ju)處理(li)可按(an)數據(ju)處理(li)流程(cheng)圖(圖 )進(jin)行。應(ying)結合圖(tu)中電(dian)阻率(lv)異常(chang)區(qu)、場(chang)區內(nei)物質(zhi)電(dian)性差異對(dui)數(shu)據(ju)進(jin)行解(jie)釋(shi),確定滲瀝(li)液滲漏(lou)區(qu)域及汙(wu)染(ran)範圍(wei)。
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