檢(jian)測(ce)方(fang)法(fa)
當前位置(zhi): 防滲(shen)膜(mo)完(wan)整性(xing)檢(jian)測(ce)/檢(jian)測(ce)方(fang)法(fa)/ 正文(wen)高(gao)密(mi)度(du)電阻(zu)率(lv)探測(ce)原(yuan)理土(tu)工(gong)膜(mo)
高(gao)密(mi)度(du)電阻(zu)率(lv)探測(ce)原(yuan)理
高(gao)密(mi)度(du)電阻(zu)率(lv)法(fa)(multi-electrode resistivity method)是壹種(zhong)陣列勘(kan)探方(fang)法(fa),它以(yi)巖(yan)、土(tu)導電性(xing)的差異(yi)為基礎(chu),研(yan)究(jiu)人工施(shi)加穩定(ding)電(dian)流(liu)場(chang)的作(zuo)用(yong)下(xia)地中傳(chuan)導電流(liu)分布(bu)規律。野(ye)外(wai)測(ce)量(liang)時只需將全(quan)部(bu)電(dian)極(ji)( 幾(ji)十至上(shang)百根) 置於觀(guan)測(ce)剖面的各測(ce)點(dian)上(shang), 然後(hou)利(li)用程(cheng)控電極(ji)轉(zhuan)換裝(zhuang)置(zhi)和微(wei)機(ji)工(gong)程(cheng)電測(ce)儀(yi)便可實(shi)現數據的快(kuai)速(su)和(he)自(zi)動(dong)采集, 當將測(ce)量(liang)結果(guo)送(song)入(ru)微(wei)機(ji)後(hou), 還可對數據進(jin)行(xing)處(chu)理並(bing)給(gei)出(chu)關於地電斷(duan)面分布(bu)的各種(zhong)圖示(shi)結果(guo)。
高(gao)密(mi)度(du)電法(fa)實際(ji)上是集中了電(dian)剖面法(fa)和電(dian)測(ce)深法(fa)。
其原(yuan)理與普通電(dian)阻(zu)率(lv)法(fa)相(xiang)同.所(suo)不同的是在(zai)觀(guan)測(ce)中設置(zhi)了(le)高密度(du)的觀(guan)測(ce)點(dian)。關於陣列電探的思想(xiang)早(zao)在(zai)20 世(shi)紀(ji)70 年(nian)代末(mo)期(qi)就有(you)人開始考慮(lv)實(shi)施(shi), 英(ying)國學者所設(she)計(ji)的電測(ce)深偏(pian)置系(xi)統(tong)實際(ji)上就是高密(mi)度(du)電法(fa)的最初模(mo)式(shi)。80 年(nian)代中期(qi), 日本地質(zhi)計(ji)測(ce)株(zhu)式(shi)會(hui)社(she)曾借助電極(ji)轉(zhuan)換板(ban)實(shi)現了野(ye)外(wai)高密度(du)電阻(zu)率(lv)法(fa)的數據采集, 只是由(you)於整(zheng)體(ti)設計的不完(wan)善(shan)性(xing), 這套(tao)設備(bei)沒有(you)充分發(fa)揮(hui)高密度(du)電阻(zu)率(lv)法(fa)的優越性(xing)。
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